A Global Galaxy S23 FE az Exynos 2200-at fogja tartalmazni, az amerikai verzió a Snapdragon 8 Gen 1-et kapja

A Samsung Galaxy S23 FE az idei év harmadik negyedében érkezik a Galaxy S23 sorozat tagjaként, de úgy tűnik, hogy nem fog egy lapkakészlet köré épülni.

A Geekbench tesztek és a hivatalos támogatási oldalak azt mutatják, hogy a Galaxy S23 FE a piactól függően különböző lapkakészleteket fog futtatni. A globális változat a 4 nm-es Exynos 2200-at hordozza majd 8 GB RAM-mal. Ez ugyanaz a lapkakészlet, mint a Galaxy S22 Ultrában, és azt kritizálják, hogy kevésbé energiahatékony, mint a Qualcomm által gyártott hasonló chip. A hatékonyságbeli eltérések mögött a fő ok a hírek szerint a Samsung 4 nm-es gyártási folyamata volt, amely nem volt olyan hatékony, mint a TSMC 4 nm-es eljárása.

A Galaxy S23 FE amerikai változata azonban továbbra is a Samsung 4 nm-es chipjén alapul a Snapdragon 8 Gen 1 lapkakészletben, így hatékonyságbeli különbségek nem várhatók.

A Qualcommot általában jobb választásnak tartják, olyannyira, hogy a Samsung múlt héten Indiában is bemutatta a Snapdragon 888-as Galaxy S21 FE-t.

forrás: gsmarena.com